最近幾年，我國深紫外LED燈珠技術(shù)運(yùn)用發(fā)展相對很快，除了一些科研單位在紫外LED贏得了豐富的科研成果外，國內(nèi)LED企業(yè)也在這個行業(yè)開拓出適合自己的市場。

　　在近紫外LED芯片領(lǐng)域以很多大品牌等作為代表上游公司都有涉及近紫外芯片。紫外LED芯片發(fā)光的波長越短，技術(shù)難度就越大，在深紫外LED燈珠芯片領(lǐng)域我國也有像鑫優(yōu)威這樣的知名企業(yè)。另外以深紫外LED燈珠為代表的中游封裝公司都推出了各自的紫外LED產(chǎn)品。

　　我國臺灣地區(qū)的晶電、新世紀(jì)、榮創(chuàng)等LED企業(yè)都在紫外LED產(chǎn)品開始合理布局。相對于我國LED發(fā)展情況來講，目前國外的紫外LED的發(fā)展?fàn)顩r又是什么樣的呢?日本憑借其在藍(lán)光LED領(lǐng)域內(nèi)的先發(fā)優(yōu)勢，在紫外LED方面的進(jìn)展同樣有目共睹，日本主要紫外LED包括日亞化學(xué)與DOWA等。美國在深紫外的探索方面遙遙領(lǐng)先，有代表性的企業(yè)是美國的SMTI公司，可是近年有被日本超越的趨勢，日本日機(jī)裝(NIKKISO)將從2015年春季開始量產(chǎn)發(fā)光波長為255~350nm的深紫外LED燈珠。韓國廠商首爾半導(dǎo)體與LGInnotek也在研發(fā)紫外LED。與藍(lán)光不同，目前紫外LED正處于技術(shù)發(fā)展期，在zhuanli和知識產(chǎn)權(quán)方面限制比較少，有益于占領(lǐng)、引領(lǐng)未來的技術(shù)制高點(diǎn)。

　　國內(nèi)在紫外LED的裝備、材料和器件方面都有了一些積累。在紫外LED形成大規(guī)模產(chǎn)業(yè)前，還需要國家的正確引導(dǎo)與支持，確保在核心技術(shù)方面獲得先機(jī)。

　　未來需要解決的技術(shù)難題是藍(lán)寶石襯底上高質(zhì)量AlN模板的MOCVD外延生長;AlGaN量子阱的發(fā)光機(jī)制研究與結(jié)構(gòu)控制技術(shù);P型高Al組分AlGaN摻雜技術(shù)研究;低歐姆接觸電極的制作;電流擁堵效應(yīng)的解決;紫外LED出光效率提高技術(shù);熒光材料的高效合成;耐熱抗紫外封裝材料的研究;深紫外LED燈珠的器件工藝和封裝技術(shù);應(yīng)用模塊研制等。在國內(nèi)外諸多紫外LED研究工作者的共同努力下，相信紫外LED芯片的應(yīng)用前景將一片光明。

　　根據(jù)紫外LED芯片的研究現(xiàn)狀，預(yù)計其未來研究發(fā)展方向有以下這幾個方面：研究高質(zhì)量的深紫外材料外延生長技術(shù);高Al組分AlGaN材料生長技術(shù)和摻雜技術(shù);深紫外LED燈珠結(jié)構(gòu)設(shè)計;波長300nm以下LED器件芯片制作工藝和封裝技術(shù);面向醫(yī)療、殺菌和凈化應(yīng)用領(lǐng)域的紫外光源模塊開發(fā)和應(yīng)用。

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